Concentration dependent pair-correlation in amorphous Si1−xGex layers revealed by micro-combinatorial TEM

Thumbnail
Megtekintés/Megnyitás
Metaadat
Teljes megjelenítés
Link a dokumentumra való hivatkozáshoz:
http://hdl.handle.net/20.500.14044/40882
Gyűjtemény
Cím és alcím
Concentration dependent pair-correlation in amorphous Si1−xGex layers revealed by micro-combinatorial TEM
A könyvrészlet száma
6.
Szerző
Cora, János
Lábár, János L.
Sáfrán, György
Szerkesztő
Fried, Miklós
Megjelenés ideje
2020
Hozzáférés szintje
Open access
Konferencia címe
Anyagtudományi Szimpózium
Konferencia ideje
2020. Szeptember 23-25.
Nyelv
en
Terjedelem
5 p.
Tárgyszó
concentration dependent atomic distance, amorphous sige, gradient combinatorial sample, whole concentration range, vegard’s rule-like behaviour
Változat
Kiadói változat
A cikket/könyvrészletet tartalmazó dokumentum címe
Anyagtudományi Szimpózium (Symposium on Materials Science)
A forrás folyóirat éve
2020
ISBN, e-ISBN
978-963-449-236-8
Műfaj
Konferenciaközlemény
Tudományterület
Műszaki tudományok - anyagtudományok és technológiák
Egyetem
Óbudai Egyetem
Kar
Kandó Kálmán Villamosmérnöki Kar